In un recente studio pubblicato su Nature Communications, un team internazionale di ricercatori, guidato dall’Università Cattolica del Sacro Cuore di Brescia e con il supporto della Scuola Internazionale Superiore di Studi Avanzati di Trieste, ha evidenziato come minime imperfezioni nella struttura di certi materiali possano essere la chiave per lo sviluppo di memorie ultra-rapide. Queste scoperte potrebbero rivoluzionare l’efficienza di computer e dispositivi basati su Intelligenza Artificiale.
La ricerca ha dimostrato che tali difetti strutturali consentono la trasformazione di alcuni materiali da isolanti a conduttori di elettricità. Questo fenomeno apre la strada alla creazione di dispositivi avanzati, capaci di modificare la loro resistenza per la memorizzazione dei dati o di replicare la struttura del cervello umano.
Alessandra Milloch, principale autrice dello studio, e il coordinatore Claudio Giannetti hanno chiarito che, contrariamente a quanto si pensava in precedenza, le transizioni nelle proprietà elettriche dei dispositivi non sono il risultato di fluttuazioni locali aleatorie, ma sono strettamente legate ai difetti presenti nella struttura dei materiali.
Per approfondire la comprensione di questo meccanismo, il gruppo di ricerca ha utilizzato i cosiddetti materiali di Mott, isolanti speciali che possono diventare conduttivi. L’analisi ha richiesto l’impiego di avanzate tecniche di microscopia a raggi X, che hanno permesso di osservare direttamente l’influenza dei difetti strutturali sulle proprietà elettriche dei materiali.
